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升降杆和摄像头的布尔函数

    本文提出了一种有效的多数逻辑优化器,用于合成基于电子杆遥控器多数门的纳米电子电路。提出了一种新的共享映射方案,以实现简单的合成电路和较高的合成速度。实验结果表明,与现有方法相比,该方法减少了20%的门数,提高了25%的合成速度。该优化器可广泛应用于量子细胞自动机、隧穿相位逻辑和单电子隧穿道闸电路的设计
 
    我们提出了一个磁电子器件族,其独特的特点是“族”由单个器件组成,该器件可以执行多个布尔函数中的任意一个,该函数在操作过程中通过电子杆器件寻址的方式动态确定。当道闸遥控器设备在锁存模式下工作时,它还执行非易失性存储功能。实现了逻辑和内存的集成,从而可以动态分配内存和处理功能。
 
    电子关联通常产生由电子自组织引起的各种电绝缘状态,这些状态在相应的填充物中特别稳定。尽管电子杆遥控器通过微小的外部刺激来破坏这种有序状态一直是器件应用的关键策略,但由于需要微调材料参数,很难获得它们的真实电子相位边界。在这里,我们通过使用栅极电压和磁场准连续控制掺杂水平x和带宽W,证明了Pr(1-x)Sr(x)MnO3薄膜(x=0.5;有效1/4填充态)中的双极电阻开关,由电解质门控晶体管中产生的纳米级界面上形成的极端电场启用。在接近x-W相图中的临界点时,出现了一个具有前所未有陡度的电阻峰。该升降杆技术为基于Mott绝缘体的晶体管和发现在强关联电子系统的常规体研究中迄今未被注意到的奇异性开辟了一条新的途径。